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電容器
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關(guān)于臥式電解電容退藕電容的一般配置原則

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2019-01-03 16:46:00

1. 電源輸入端跨接10 ~100uf的電解電容器。如有可能,接100uf以上的更好。

 
2. 原則上每個(gè)集成電路芯片都應(yīng)布置一個(gè)0.01pf的瓷片電容,如遇印制板空隙不夠,可每4~8個(gè)芯片布置一個(gè)1 ~ 10pf的鉭電容。
 
3. 對(duì)于抗噪能力弱、關(guān)斷時(shí)電源變化大的器件,如 ram、rom存儲(chǔ)器件,應(yīng)在芯片的 電源線和地線之間直接入退藕電容。
 
4、電容引線不能太長,尤其是高頻旁路電容不能有引線。此外,還應(yīng)注意以下兩點(diǎn):
 
a、 在印制板中有接觸器、繼電器、按鈕等元件時(shí).操作它們時(shí)均會(huì)產(chǎn)生較大火花放電 ,必須采用附圖所示的 rc 電路來吸收放電電流。一般 r 取 1 ~ 2k,c取2.2 ~ 47uf。
 
b、 cmos的輸入阻抗很高,且易受感應(yīng),因此在使用時(shí)對(duì)不用端要接地或接正電源。
 
由于大部分能量的交換也是主要集中于器件的電源和地引腳,而這些引腳又是獨(dú)立的直接和地電平面相連接的。這樣,電壓的波動(dòng)實(shí)際上主要是由于電流的不合理分布引起。但電流的分布不合理主要是由于大量的過孔和隔離。      

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