導(dǎo)致安規(guī)電容炸裂的原因
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導(dǎo)致安規(guī)電容炸裂的原因:
1)由于制造質(zhì)量差等原因,安規(guī)電容的內(nèi)部元件擊穿。
2)由于套管密封不良而進(jìn)入潮氣,降低了絕緣電阻;由于滲、漏油、油面下降,從而導(dǎo)致對(duì)外殼放電或元件擊穿。
3)內(nèi)部游離和鼓肚。當(dāng)安規(guī)電容內(nèi)部產(chǎn)生電暈、擊穿放電和嚴(yán)重游離時(shí),安規(guī)電容在過電壓作用下,會(huì)產(chǎn)生一系列物理、化學(xué)、電氣效應(yīng),加速絕緣老化、分解而產(chǎn)生氣體,形成惡性循環(huán),以致箱殼壓力變大,造成箱壁外鼓進(jìn)而導(dǎo)致炸裂。
4)絕緣損壞,尤其是高壓側(cè)引出線制造工藝不良、邊緣不平、有毛刺或嚴(yán)重變折時(shí),電容頂部容易產(chǎn)生電暈,電暈使油分解、箱殼膨脹、油面下降而造成元件擊穿。此外,在封蓋時(shí)如果轉(zhuǎn)角處燒焊時(shí)間過長(zhǎng),破壞了內(nèi)部絕緣,降低了擊穿電壓,也易導(dǎo)致安規(guī)電容損壞,進(jìn)而引起炸裂事故。
5)當(dāng)進(jìn)行帶電合閘時(shí),在合閘的瞬間,電壓極性可能與安規(guī)電容殘留電荷的極性相反,因而引起炸裂。
6)通風(fēng)不良、溫升過高、嚴(yán)重過電壓和電壓諧波分量大,也會(huì)引起炸裂。
文章來源:深圳新晨陽電子
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