本文主要介紹了瓷介電容器的分類，本文字數(shù)700字，閱讀全文需7分鐘。

用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。

具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合，這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

圓片式瓷介電容器的包封形式通常按電壓區(qū)分，500VDC以下的低壓產(chǎn)品CC1、CT1系列均采用酚醛樹脂包封，該樹脂絕緣強度和耐濕性較差，但成本較低。為改善耐濕性，此類包封外層均浸用一層薄蠟。1KVDC以下和交流電容系列，均采用絕緣強度和耐濕特性優(yōu)良的阻燃環(huán)氧樹脂包封。

除圓片式瓷介電容器外，使用的有軸向引線色環(huán)陶瓷電容和貼片式陶瓷電容，其內(nèi)部結構為疊層方式，因而體積很小，但容量可以達到1μF以上，非常利于裝配，但由于其結構限制，絕緣電阻和耐壓無法做得很高，因而目前只限于低壓（50V以內(nèi)）產(chǎn)品，其損耗和溫度特性與圓片電容相同。

陶瓷電容器雖有很多優(yōu)點，但因陶瓷材料本身機械強度低、易破碎這一缺點，使其圓片的幾何尺寸受到限制，這也是不同溫度特性有不同容量范圍的主要原因。通常標準上對低壓圓片電容的允許直徑D≤12mm,高壓電容的圓片允許直徑D≤16mm。如超過這一尺寸，生產(chǎn)加工難度和廢品率就會有很大增加，并且在瓷片本體上產(chǎn)生的微小裂紋都將對電容器的可靠性產(chǎn)生很大隱患。因不同廠家在材料研制和工藝制造方面的水平不同，其外形尺寸標準也有差異，故其容量標稱范圍也有部分區(qū)別。

文章來源：深圳新晨陽電子

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