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首頁電子器件常見問題 鉭電容設(shè)計的進(jìn)步

鉭電容設(shè)計的進(jìn)步

2021年07月16日17:15 

制造商提供各種各樣的鉭電容器產(chǎn)品,這些產(chǎn)品針對各種特定功能進(jìn)行了優(yōu)化,并針對不同的應(yīng)用和市場細(xì)分。這些不同產(chǎn)品系列提供的優(yōu)化包括更低的ESR、更小的尺寸、高可靠性、更小的直流泄漏電流、更低的ESL和更高的工作溫度。本論文主要集中在兩個方面:低ESR和小尺寸。由于導(dǎo)電率是42合金的100倍,銅的使用對ESR有重要影響。改用銅引線框架,最大ESR可降低到40mΩ。


制造商提供各種各樣的鉭電容器產(chǎn)品,這些產(chǎn)品針對各種特定功能進(jìn)行了優(yōu)化,并針對不同的應(yīng)用和市場細(xì)分。這些不同產(chǎn)品系列提供的優(yōu)化包括更低的ESR、更小的尺寸、高可靠性(用于軍事、汽車和醫(yī)療應(yīng)用)、更小的直流泄漏電流、更低的ESL和更高的工作溫度。本論文主要集中在兩個方面:低ESR和小尺寸
低ESR–針對最低ESR進(jìn)行優(yōu)化,這些器件在脈沖或交流應(yīng)用中提供更高的效率,在高噪聲環(huán)境中提供更好的濾波性能
小尺寸–結(jié)合使用高CV鉭粉和高效封裝,這些器件為智能手機(jī)、平板電腦和其他手持消費(fèi)電子設(shè)備等空間受限的應(yīng)用提供了體積小、容量大的低ESR鉭電容器,降低ESR一直是鉭電容器設(shè)計的重要研究領(lǐng)域之一。生產(chǎn)過程中鉭粉的選擇和陰極材料的包覆工藝對電渣重熔有重要影響。然而,對于給定的額定值(電容、電壓、尺寸),這些因素主要是設(shè)計上的限制,在最先進(jìn)的器件上已經(jīng)基本解決。降低ESR的兩個主要因素是:陰極材料被導(dǎo)電聚合物取代,引線框架材料由Fe-Ni合金改為Cu
鐵鎳合金(如合金42)一直是引線框架材料的傳統(tǒng)選擇。這些合金的優(yōu)點(diǎn)包括熱膨脹系數(shù)低、成本低和易于制造。由于銅引線框架材料加工工藝的改進(jìn),使其可用于鉭電容器的設(shè)計。由于導(dǎo)電率是42合金的100倍,銅的使用對ESR有重要影響。例如,Vishay 100帶有a-shell(EIA 3216)和傳統(tǒng)引線框架μ 100kHz和25kHz時的F/6.3V t55聚合物鉭電容器° C時70mΩ 的最大ESR。改用銅引線框架,最大ESR可降低到40mΩ。

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