陶瓷電容具有小型、高耐壓和頻率特性好，溫度較高，比容量大，耐潮濕性好，介質(zhì)損耗較小等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于，電子產(chǎn)品。
陶瓷電容器的電容量隨直流偏置電壓變化非常大。
從無偏置時(shí)的百分之一百電容量下降到額定電壓下的直流偏置電壓時(shí)得不到額定電容量的百分之二十五。
也就是說10μF的電容量在額定電壓時(shí)僅為不到2.5μF，在高溫時(shí)由于電容量已經(jīng)下降到很低。
所以這時(shí)的電容量隨直流偏置電壓的變化不大。
X7R介質(zhì)陶瓷電容器的電容量隨直流偏置電壓變化雖比較大，但是比Y5V好得多。
陶瓷電容器所允許加載的交流電壓與電流同頻率的關(guān)系：這主要受電容器的ESR影響，相對而言C0G的ESR比較低，故可以承受比較大的電流。
相應(yīng)的所允許施加的交流電壓相對比較大，X7R則ESR相對比較大，可承受比C0G要小，與此同時(shí)，由于電容量遠(yuǎn)大于C0G，故所施加的電壓將遠(yuǎn)小于C0G。
