吸收與換相電容器

文章出處：作者：人氣：-發(fā)表時間：2016-03-16 16:17:00

吸收與換相電容器

隨著柵控半導體器件的額定功率越做越大，開關(guān)速度越來越快，額定電壓越來越高，對緩沖電路的電容器僅僅要求足夠的耐壓、容量及優(yōu)異的高頻特性是不夠的。

在大功率電力電子電路中，由于IGBT的開關(guān)速度已小于1μs，要求吸收電路電容器上的電壓變化速率dv/dt》V/μs已是很正常的，有的要求V/μs甚至V/μs。

對于普通電容器，特別是普通金屬化電容器的dv/dt《100V/μs，特殊金屬化電容器的dv/dt≤200V/μs，專用雙金屬化電容器小容量（小于10nF）的dv/dt≤1500V/μs，較大容量（小于0.1μF）的則為600V/μs，在這種巨大且重復率很高的峰值電流沖擊下是很難承受的。損壞電力電子電路的現(xiàn)象。

目前吸收電路專用電容器，即金屬箔電極可承受較大的峰值電流和有效值電流沖擊，如：較小容量（10nF以下）的可承受100000V/μs～455000V/μs的電壓變化率、3700A峰值電流和達9A有效值電流（如CDV30FH822J03）；較大容量（大于10nF，小于0.47μF）或較大尺寸的可承受大于3400V/μs以及1000A峰值電流的沖擊。

由此可見，盡管同是無感電容、金屬化和金屬箔電容，應用在吸收電路中將有不同的表現(xiàn)，外形相近但規(guī)格不同在這里是絕對不能互換的。電容器的尺寸將影響電容器的dv/dt及峰值電流的耐量，一般而言，長度越大dv/dt和峰值電流則相對較小。

吸收電路中電容器的工作特點是高峰值電流占空比小，有效值電流不十分高，與這種電路相似的還有晶閘管逆變器的換相電容器，盡管這種電容器要求的dv/dt較吸收電容器小，但峰值電流與有效值電流均較大，采用普通電容器在電流方面不能滿足要求。

在某些特殊應用中要求儲能電容器反復急促放電，而且放電回路電阻極低、寄生電感很小，在這種場合下只能將吸收電容并聯(lián)使用以保證長期使用的可靠性。

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