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陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器看似相似的兩種電容器，其實(shí)并非如此，其實(shí)陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器是不同的，下面以容網(wǎng)專家為大家介紹一下陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器的區(qū)別。將具有高介電常數(shù)的電容陶瓷擠壓成管狀、晶片狀或圓盤狀介質(zhì)，用老化法在陶瓷上鍍銀作為電極。它分為高頻瓷和低頻瓷兩種。高頻瓷介質(zhì)容器是用一種特殊的混合物以適合噴涂的濃度噴灑在薄膜上制成的。

陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器看似相似的兩種電容器，其實(shí)并非如此，其實(shí)陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器是不同的，下面以容網(wǎng)專家為大家介紹一下陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器的區(qū)別。將具有高介電常數(shù)的電容陶瓷(鈦酸鋇氧化鈦)擠壓成管狀、晶片狀或圓盤狀介質(zhì)，用老化法在陶瓷上鍍銀作為電極。它分為高頻瓷和低頻瓷兩種。

陶瓷電容器正電容溫度系數(shù)小的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩電路中，如電路電容器和襯墊調(diào)平電容器。在工作在低頻的電路中，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高(包括高頻)的電路中，低頻陶瓷介質(zhì)容器僅限于旁路或直流隔離。這種電容器不應(yīng)用于脈沖電路，因?yàn)樗鼈兒苋菀妆幻}沖電壓擊穿。

高頻陶瓷介質(zhì)容器適用于高頻電路云母電容器。就結(jié)構(gòu)而言，可分為箔式和被子式。

SILVER電極采用真空蒸發(fā)法或老化法直接在云母片上鍍銀層，由于消除了氣隙，溫度系數(shù)大大降低，電容穩(wěn)定性比箔型高。頻率特性好，Q值高，溫度系數(shù)低。廣泛應(yīng)用于高頻電器中，并可作為玻璃釉電容器的標(biāo)準(zhǔn)電容器。

高頻瓷介質(zhì)容器是用一種特殊的混合物以適合噴涂的濃度噴灑在薄膜上制成的。

然后用鍍銀的電極對介質(zhì)進(jìn)行燒結(jié)。性能可與云母電容器媲美，能承受各種氣候環(huán)境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達(dá)500V，損耗tgδ0。0005 ~ 0。008。

摘自：http://www.sznse.com/Article/tcdrqhgpcjd.html