陶瓷電容器是一種高介電常數(shù)的陶瓷電容器〈鈦酸鋇一氧化鈦〉將其擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極。分為高頻瓷介和低頻瓷介。由于環(huán)氧樹脂固化冷卻過程中體積收縮，環(huán)氧包裝陶瓷電容器產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力以殘余應(yīng)力的形式保留在包裝層中，作用于陶瓷環(huán)氧界面，惡化界面的粘結(jié)。當(dāng)環(huán)氧封層的殘余應(yīng)力較大時(shí)，兩者的聯(lián)合作用很可能導(dǎo)致封層與陶瓷體脫殼，產(chǎn)生氣隙，從而降低電壓水平。

陶瓷電容器是一種高介電常數(shù)的陶瓷電容器〈鈦酸鋇一氧化鈦〉將其擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極。分為高頻瓷介和低頻瓷介。

高壓陶瓷電容器用于大功率、高壓領(lǐng)域，具有小型、高耐壓、頻率特性好等特點(diǎn)。隨著材料、電極和制造技術(shù)的進(jìn)步，高壓陶瓷電容器的發(fā)展取得了長足的進(jìn)步，并得到了廣泛的應(yīng)用。高壓陶瓷電容器已成為大功率高壓電子產(chǎn)品不可缺少的組成部分之一。高壓陶瓷電容器的用途主要分為電力設(shè)備和脈沖能處理設(shè)備。陶瓷環(huán)氧界面存在間隙，導(dǎo)致陶瓷電容耐壓性差，導(dǎo)致二次密封模塊固化和固化后應(yīng)力作用導(dǎo)致其耐壓水平降低。

陶瓷電容器的擊穿破壞遵循弱點(diǎn)擊穿理論，局部放電是弱點(diǎn)破壞的根源。除溫度冷熱變化引起的熱應(yīng)力開裂外，環(huán)氧密封高壓陶瓷電容器的電極邊緣電場集中、陶瓷環(huán)氧界面等薄弱環(huán)節(jié)。由于環(huán)氧樹脂固化冷卻過程中體積收縮，環(huán)氧包裝陶瓷電容器產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力以殘余應(yīng)力的形式保留在包裝層中，作用于陶瓷環(huán)氧界面，惡化界面的粘結(jié)。鈣鈦礦鈦酸鍶鐵陶瓷在電場作用下，形成高壓陶瓷電容瓷體（SPBT）會(huì)產(chǎn)生電機(jī)械應(yīng)力和電致應(yīng)變。當(dāng)環(huán)氧封層的殘余應(yīng)力較大時(shí)，兩者的聯(lián)合作用很可能導(dǎo)致封層與陶瓷體脫殼，產(chǎn)生氣隙，從而降低電壓水平。