歐洲微型和納米電子元器件及系統(tǒng)戰(zhàn)略路線圖(五)
形成共同的投資,如ENIAC JTI公私伙伴關(guān)系的成功應(yīng)用,公共優(yōu)惠政策將包括支持研發(fā)、中試和生產(chǎn)設(shè)施原始創(chuàng)新,以及與國(guó)家援助規(guī)則接軌的激勵(lì)支持。
部分公共資助的有納入了歐盟H2020(ECSEL 支持的R&D&I,包括中試)的歐洲共同偏好的重要項(xiàng)目(IPCEI),結(jié)構(gòu)性基金(為首批生產(chǎn)投資,或者稱為綠地投資),以及地區(qū)和國(guó)家投資的配套資金(包括ECSEL和結(jié)構(gòu)基金)??偟墓餐顿Y包將需要超過(guò)10億歐元,才能與世界其他地區(qū)相比具有競(jìng)爭(zhēng)力。
此外,歐盟將努力推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)建設(shè),從事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)向最終正式標(biāo)準(zhǔn)推進(jìn),如果標(biāo)準(zhǔn)缺失將會(huì)抑制或減緩歐洲在微電子領(lǐng)域的新技術(shù)或系統(tǒng)的創(chuàng)新和采用。
T2.2 生態(tài)系統(tǒng)倡議計(jì)劃
為了達(dá)到目標(biāo),歐洲將加強(qiáng)微電子設(shè)計(jì)行業(yè)和無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司(包括那些涉及適用于終端系統(tǒng)的虛擬組件的開(kāi)發(fā))的發(fā)展?;谶@一路徑,倡議設(shè)立專注于中小企業(yè)微電子設(shè)計(jì)的支持計(jì)劃,以提升歐洲在這一領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,該計(jì)劃從2014年啟動(dòng),將得到H2020,也很可能納入ECSEL的支持。
這一舉措將著眼于開(kāi)拓新的機(jī)會(huì),以及大量的行業(yè)用戶緊密聯(lián)系,進(jìn)而催生創(chuàng)新的想法涌現(xiàn)。除了資本投資之外,最重要的是推動(dòng)向著正確的和交叉學(xué)科技能方向發(fā)展,重點(diǎn)聚焦于促使歐洲微電子設(shè)計(jì)和制造之間更加緊密。
T2.3 加強(qiáng)整個(gè)創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)的合作
研究整個(gè)微電子系統(tǒng)價(jià)值鏈上企業(yè)使用的技術(shù)和方法。企業(yè)利用這些知識(shí)打造更高效、更高質(zhì)量、更強(qiáng)大、更具成本效益和更具全球競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品,在R&D&I方面更密切的合作,從而直接提升全球競(jìng)爭(zhēng)力。
T2.3.1 歐洲被公認(rèn)擁有在微型和納米電子元件和系統(tǒng)領(lǐng)域世界上最好的公共研究和技術(shù)中心。這些中心吸引世界各地的私人投資和技術(shù),從而形成了地區(qū)產(chǎn)業(yè)集群核心。關(guān)鍵是要保持其卓越能力,增強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)力。這些中心通過(guò)專業(yè)分工與合作,現(xiàn)在是,將來(lái)也是微電子領(lǐng)域創(chuàng)新的強(qiáng)勁發(fā)動(dòng)機(jī)。
T2.3.2 ELG建議主要研究和技術(shù)中心(如LETI、IMEC、FhG、VTT、延德?tīng)枺┑暮献鳎约罢麄€(gè)應(yīng)用生態(tài)系統(tǒng)中遍布?xì)W洲大學(xué)的獨(dú)立學(xué)者之間強(qiáng)化合作。
此外,我們建議中小企業(yè)尤其應(yīng)獲得區(qū)域技術(shù)組織(RTO)的激勵(lì)幫助其快速?gòu)睦砟畹疆a(chǎn)品的孵化。這將有助于開(kāi)發(fā)新的商業(yè)模式,以應(yīng)對(duì)日益強(qiáng)烈的數(shù)字化、全球化趨勢(shì),同時(shí)有助于供應(yīng)鏈/價(jià)值鏈的更緊密合作。
T2.3.3 強(qiáng)化供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng),以及設(shè)備和原材料的協(xié)同發(fā)展。憑借創(chuàng)新和差異化提升歐洲的競(jìng)爭(zhēng)力,強(qiáng)化中小企業(yè)參與供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)的能力。
T2.4 未來(lái)可持續(xù)發(fā)展的行動(dòng)
為了實(shí)現(xiàn)2020年的市場(chǎng)份額目標(biāo),技術(shù)方面要先做準(zhǔn)備,同時(shí)2020年以后的方向性研究也是必須的。備選的技術(shù)和發(fā)展軌跡如:
期待在2020年以前實(shí)現(xiàn)超低功耗技術(shù)和方法、基于SOI的高性能低功耗數(shù)字技術(shù)、光電子集成、3D/多層硅、編程語(yǔ)言、編譯器、極高并行調(diào)試系統(tǒng)、新的非易失記憶體技術(shù)。
期待在2020年后實(shí)現(xiàn)有機(jī)材料、有機(jī)半導(dǎo)體、氮化鎵、非可靠組件的可靠系統(tǒng)。
T2.4.1 其中一些技術(shù)已經(jīng)進(jìn)行了很長(zhǎng)一段時(shí)間,而其他人看到的是主流應(yīng)用非常迅速的出現(xiàn)。例如,照明、無(wú)線基站或用戶接口。它們的發(fā)展是未來(lái)廣泛成功的關(guān)鍵。有機(jī)半導(dǎo)體可能在物聯(lián)網(wǎng)和電子健康領(lǐng)域有著良好的潛力。
主線3:強(qiáng)化基礎(chǔ)設(shè)施框架
標(biāo)準(zhǔn)、改進(jìn)和共性的方法,借助EDA工具、高性能計(jì)算(用于建模、仿真和驗(yàn)證)是必要的,以便更緊密地垂直整合供應(yīng)鏈的合作。所有企業(yè),尤其是中小企業(yè)需要獲得可互操作的工具和遵循統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),促使他們?cè)谡麄€(gè)生態(tài)系統(tǒng)中的合作,涵蓋研發(fā)和技術(shù)進(jìn)步的具體行動(dòng),特別是一些互補(bǔ)性的方面。
T3.1 人力資源的投資是一個(gè)關(guān)鍵因子,以增加提供相關(guān)技能的人才資源池。工程領(lǐng)域形成終生教育的氛圍,包括常規(guī)和非常規(guī)的方法。剖析歐洲價(jià)值鏈,更好地制定產(chǎn)業(yè)界和政府的政策,有針對(duì)性地扶持價(jià)值鏈的薄弱環(huán)節(jié)。
T3.2 支持專利、出口管制、標(biāo)準(zhǔn)WTO規(guī)則和反盜版之間的緊密合作。
T3.3 助力初創(chuàng)企業(yè)和中型企業(yè)的成長(zhǎng),企業(yè)采用最佳實(shí)踐方法和為全球客戶提供基礎(chǔ)應(yīng)用能力。
T3.4 互聯(lián)網(wǎng)和信息通信技術(shù)是必須的,它有助于高效溝通和高效的商業(yè)業(yè)務(wù)。物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域日益增長(zhǎng),國(guó)內(nèi)和國(guó)際的基礎(chǔ)設(shè)施聯(lián)通必須是有彈性的和安全的,并能跟上不斷升級(jí)的增長(zhǎng)步伐。
歐洲將建立具有完整價(jià)值鏈的目標(biāo)市場(chǎng)和細(xì)分市場(chǎng),從而提高這些領(lǐng)域?qū)θ蛲馍掏顿Y的吸引力。
九、行動(dòng)計(jì)劃-時(shí)間表
表2 行動(dòng)計(jì)劃表
配套技術(shù)的發(fā)展、市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力和能力建設(shè)非常具有挑戰(zhàn)性。所以,清晰和有效的監(jiān)測(cè)進(jìn)展和調(diào)整戰(zhàn)略實(shí)施過(guò)程中的重點(diǎn)和發(fā)展方向是必須的。
十、結(jié)論
這一產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的雄心勃勃的計(jì)劃,將有助于驅(qū)動(dòng)歐洲微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展,實(shí)現(xiàn)2020-2025年歐洲半導(dǎo)體元器件產(chǎn)能價(jià)值翻番的宏偉目標(biāo),它必須依賴于市場(chǎng)的需求,并且有足夠的時(shí)間來(lái)提升產(chǎn)能。有了明確的目標(biāo),接下來(lái)就是協(xié)調(diào)和聚焦進(jìn)展進(jìn)度,扭轉(zhuǎn)市場(chǎng)份額下降趨勢(shì),提升并贏得更大的市場(chǎng)份額。
歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以及電子系統(tǒng)相關(guān)產(chǎn)業(yè),得到歐盟及成員國(guó)和地區(qū)的支持,攜手合作,歐洲在這一領(lǐng)域取得實(shí)際性的增長(zhǎng)將不再遙遠(yuǎn)。
相關(guān)資訊
推薦產(chǎn)品
- 40/60V MOS管
我們的MOS管均為東微半導(dǎo)體出產(chǎn),GreenMOS及SFGMOS產(chǎn)品系列均通過(guò)了完成的可靠性測(cè)試(JESD22),產(chǎn)品在高溫反偏1000小時(shí)后仍能正常工作
- 濾波器ET35-YH100550
型號(hào)齊全可定制,采用鐵氧體磁心,雙線并繞。 低差模噪聲信號(hào)抑制干擾源,在高速信號(hào)中難以變形。 應(yīng)用:抑制電子設(shè)備 EMI 噪音。 DVC,STB 的 IEEE 1394 線路。 液晶顯示面板,低壓微分信號(hào)。 個(gè)人電腦及外圍設(shè)備的 USB線路。
- 電子變壓器
型號(hào)齊全可定制,變壓器是利用電磁感應(yīng)的原理來(lái)改變交流電壓的裝置,主要構(gòu)件是初級(jí)線圈、次級(jí)線圈和鐵芯(磁芯)。主要功能有:電壓變換、電流變換、阻抗變換、隔離、穩(wěn)壓(磁飽和變壓器)等。
- 超低阻值厚膜電阻
超低阻值厚膜電阻阻值范圍在10m ohm~1000m ohm,體積小,重量輕,適于作電流探測(cè)用,產(chǎn)品符合ROHS指令及無(wú)鹵素要求
- 貼片電容-安規(guī)片容
特性: 1.新型獨(dú)石結(jié)構(gòu),體積小,電容量高,能在高壓下工作。 2.符合UL60950-1標(biāo)準(zhǔn)。 3.僅用于回流焊接。實(shí)用于薄型設(shè)備。 應(yīng)用: 適用于無(wú)變壓器的DAA調(diào)制調(diào)解器線路濾波器及耦合用。 適合信息設(shè)備線路濾波器用。 這個(gè)為部分安規(guī)電容物料信息,如需了解更多,可以直接咨詢我們!
- 柔性端頭電容器
柔性端頭多層片式陶瓷電容器具有高強(qiáng)度的抗彎曲性能,下彎可達(dá)到3mm;可增加溫度周期變化次數(shù),最多3000次;采用柔性端頭體系;可減少線路板因彎曲導(dǎo)致的失效故障。
同類文章排行
- 電容器的失效模式與機(jī)理
- 共模電感差模電感有什么區(qū)別
- 貼片電容的材質(zhì)及應(yīng)用
- 液態(tài)電解與固態(tài)電解的區(qū)別
- 更換電容的注意點(diǎn)
- 怎樣辨別電容器的外形?
- 瓷片電容參數(shù)識(shí)別的方法
- 瓷片電容的概念與識(shí)別
- 電容的類別與極性
- 共模電感的原理
最新資訊文章
- 為什么兩個(gè)電解電容要反相串聯(lián)
- MOS管失效的原因是什么
- 超級(jí)電容器是一種高性能的電子元件
- 熱敏電阻的工作特性
- 無(wú)極性電解電容的優(yōu)缺點(diǎn)
- 一體成型電感的特點(diǎn)和應(yīng)用
- 貼片功率電感的屬性及作用
- 貼片電容焊接步驟及注意事項(xiàng)
- 固態(tài)電解電容的優(yōu)勢(shì)特性
- 工字電感的結(jié)構(gòu)組成與作用