電容器存儲(chǔ)電荷產(chǎn)生的電壓
當(dāng)電路與電阻器、電容器組成振蕩器時(shí)，電容器存儲(chǔ)電荷產(chǎn)生的電壓可使有關(guān)輸入端的電壓短時(shí)高于電源電壓。
為防止這一現(xiàn)象導(dǎo)致鎖定，應(yīng)在該輸入端串聯(lián)限流電阻器(其阻值一般取定時(shí)電阻的2～3倍)。
選擇導(dǎo)致鎖定最小注入電流和最小過(guò)電壓足夠大的半導(dǎo)體集成電路。
盡量選擇靜電敏感度等級(jí)較高的半導(dǎo)體集成電路，如待選半導(dǎo)體集成電路未標(biāo)明靜電敏感度等級(jí)。
則應(yīng)進(jìn)行抗靜電能力評(píng)價(jià)試驗(yàn)，以確定該品種抗靜電能力的平均水平。
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