為什么獨石電容失效的影響會比其他陶瓷電容器大
介質擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種，早期擊穿暴露了電容介質材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷，這些缺陷導致陶瓷介質介電強度顯著降低，以至于在高濕度環(huán)境的電場作用下，電容器在耐壓試驗過程中或工作初期，就產(chǎn)生電擊穿。熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介質電容器中，因為擊穿時局部發(fā)熱嚴重，較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。
銀電極低頻陶瓷獨石電容器由于銀離子遷移而引起失效的現(xiàn)象，比其他類型的陶瓷介質電容器嚴重得多，原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結構。
多層疊片結構的縫隙較多，電極位置不易精確，介質表面的留邊量小，疊片層兩端涂覆外電極時銀漿滲入縫隙，降低了介質表面的絕緣電阻，并使電極之間的路徑縮短，銀離子遷移時容易產(chǎn)生短路現(xiàn)象。
半密封陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時，發(fā)生擊穿失效是比較普遍的嚴重問題。
所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類。
介質擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種，早期擊穿暴露了電容介質材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷，這些缺陷導致陶瓷介質介電強度顯著降低，以至于在高濕度環(huán)境的電場作用下，電容器在耐壓試驗過程中或工作初期，就產(chǎn)生電擊穿。老化擊穿大多屬于電化學擊穿范疇。
由于陶瓷電容器銀的遷移，陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當普遍的問題。
銀遷移形成的導電樹枝狀物，使漏電流局部增大，可引起熱擊穿，使電容器斷裂或燒毀。
熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介質電容器中，因為擊穿時局部發(fā)熱嚴重，較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。
