CV/g的增加與粉末粒度的減小和粉末純度的提高有關。將這些材料用于電容設計是一個復雜的研究領域，需要大量的研發(fā)投入。降低鉭電容器設計尺寸的另一個重要因素是高 效封裝技術的發(fā)展。行業(yè)中常用的封裝技術是鉛框架設計。這種結構具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生產能力。對于不受空間限 制的應用，這些設備仍然是可行的解決方案。VishayMAP結構的另一個好處是減少了ESL。通過小化電流環(huán)，ESL可以顯著減少。
CV/g的增加與粉末粒度的減小和粉末純度的提高有關。將這些材料用于電容設計是一個復雜的研究領域，需要大量的研發(fā)投入。降低鉭電容器設計尺寸的另一個重要因素是高 效封裝技術的發(fā)展。行業(yè)中常用的封裝技術是鉛框架設計。這種結構具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生產能力。對于不受空間限 制的應用，這些設備仍然是可行的解決方案。
然而，在許多以提高密度為主要設計標準的電子系統(tǒng)中，能夠減小元件尺寸是一個重要的優(yōu)勢。在這方面，制造商在包裝技術方面取得了一些進展。與標準引線框架結構相比，無鉛框架設計可以提高體積效率。通過減少提供外部連接所需的機械結構的尺寸，這些設備可以利用額外的可用空間來增加電容器元件的尺寸，從而增加電容值和/或電壓。
在新一代封裝技術中，Vishay的專 利多陣列封裝(MAP)結構通過在封裝末端使用金屬化層來提供外部連接，從而進一步提高了體積效率。該結構通過完全消 除內部陽極連接，使電容元件在現(xiàn)有體積范圍內的尺寸大化。為了進一步說明體積效率的提高，電容元件的體積增加了60（百分比）以上。這一增加可用于優(yōu)化設備以增加電容和/或電壓，降低DCL，并提高可靠性。
VishayMAP結構的另一個好處是減少了ESL。MAP結構可以通過消 除環(huán)封裝的機械引線框架來顯著地減小現(xiàn)有電流環(huán)的大小。通過小化電流環(huán)，ESL可以顯著減少。與標準引線框架結構相比，ESL的減少可高達30（百分比）。ESL的減少對應于自諧振頻率的增加，這可以擴大電容的工作頻率范圍。
