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陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器看似相似的兩種電容器，其實并非如此，其實陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器是不同的，下面以容網專家為大家介紹一下陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器的區(qū)別。將具有高介電常數的電容陶瓷擠壓成管狀、晶片狀或圓盤狀介質，用老化法在陶瓷上鍍銀作為電極。它分為高頻瓷和低頻瓷兩種。高頻瓷介質容器是用一種特殊的混合物以適合噴涂的濃度噴灑在薄膜上制成的。
陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器看似相似的兩種電容器，其實并非如此，其實陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器是不同的，下面以容網專家為大家介紹一下陶瓷電容器與高頻陶瓷介電容器的區(qū)別。將具有高介電常數的電容陶瓷(鈦酸鋇氧化鈦)擠壓成管狀、晶片狀或圓盤狀介質，用老化法在陶瓷上鍍銀作為電極。它分為高頻瓷和低頻瓷兩種。
陶瓷電容器正電容溫度系數小的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩電路中，如電路電容器和襯墊調平電容器。在工作在低頻的電路中，或對穩(wěn)定性和損耗要求不高(包括高頻)的電路中，低頻陶瓷介質容器僅限于旁路或直流隔離。這種電容器不應用于脈沖電路，因為它們很容易被脈沖電壓擊穿。
高頻陶瓷介質容器適用于高頻電路云母電容器。就結構而言，可分為箔式和被子式。
SILVER電極采用真空蒸發(fā)法或老化法直接在云母片上鍍銀層，由于消除了氣隙，溫度系數大大降低，電容穩(wěn)定性比箔型高。頻率特性好，Q值高，溫度系數低。廣泛應用于高頻電器中，并可作為玻璃釉電容器的標準電容器。
高頻瓷介質容器是用一種特殊的混合物以適合噴涂的濃度噴灑在薄膜上制成的。
然后用鍍銀的電極對介質進行燒結。性能可與云母電容器媲美，能承受各種氣候環(huán)境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達500V，損耗tgδ0。0005 ~ 0。008。
