顧名思義，陶瓷介質(zhì)電容器是由陶瓷介質(zhì)材料制成的電容器。根據(jù)陶瓷材料的不同，電容器可分為容量為1～300pF的低頻陶瓷介質(zhì)電容器和容量為300～22000pF的高頻陶瓷介質(zhì)電容器。按結(jié)構(gòu)可分為鏡面電容器、管狀電容器、矩形電容器、貼片電容器、通孔電容器等。由于陶瓷電容器的介質(zhì)材料為陶瓷介質(zhì)，因此具有良好的耐熱性，不易老化。
陶瓷電容器也稱為陶瓷介質(zhì)電容器或單片電容器。顧名思義，陶瓷介質(zhì)電容器是由陶瓷作為介質(zhì)材料制成的電容器。根據(jù)陶瓷材料的不同，電容器可分為容量為1～300pF的低頻陶瓷介質(zhì)電容器和容量為300～22000pF的高頻陶瓷介質(zhì)電容器。按結(jié)構(gòu)可分為鏡面電容器、管狀電容器、矩形電容器、貼片電容器、通孔電容器等。
顧名思義，陶瓷介質(zhì)電容器是由陶瓷介質(zhì)材料制成的電容器。根據(jù)陶瓷材料的不同，電容器可分為容量為1～300pF的低頻陶瓷介質(zhì)電容器和容量為300～22000pF的高頻陶瓷介質(zhì)電容器。按結(jié)構(gòu)可分為鏡面電容器、管狀電容器、矩形電容器、貼片電容器、通孔電容器等。由于陶瓷電容器的介質(zhì)材料為陶瓷介質(zhì)，因此具有良好的耐熱性，不易老化。
陶瓷電容器也稱為陶瓷介質(zhì)電容器或單片電容器。顧名思義，陶瓷介質(zhì)電容器是由陶瓷作為介質(zhì)材料制成的電容器。根據(jù)陶瓷材料的不同，電容器可分為容量為1～300pF的低頻陶瓷介質(zhì)電容器和容量為300～22000pF的高頻陶瓷介質(zhì)電容器。按結(jié)構(gòu)可分為鏡面電容器、管狀電容器、矩形電容器、貼片電容器、通孔電容器等。
由于陶瓷電容器的介質(zhì)材料為陶瓷介質(zhì)，因此具有良好的耐熱性，不易老化。陶瓷電容器耐酸堿腐蝕和鹽腐蝕，具有良好的腐蝕性能。低壓陶瓷電容器具有介電常數(shù)大、體積小、容量大的特點。陶瓷電容器具有良好的絕緣性能和耐高壓性能。陶瓷電容器基本不受溫度、電壓、時間等的影響。
體積層電容器半導體的容量之和，這樣一個大的微型電容器，在陶瓷的表面之上盡可能小，即電容器‘盡可能一個電容器，陶瓷的外部電容。
