陶瓷電容器是一種高介電常數(shù)的陶瓷電容器〈鈦酸鋇一氧化鈦〉將其擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極。分為高頻瓷介和低頻瓷介。由于環(huán)氧樹脂固化冷卻過程中體積收縮，環(huán)氧包裝陶瓷電容器產生的內應力以殘余應力的形式保留在包裝層中，作用于陶瓷環(huán)氧界面，惡化界面的粘結。當環(huán)氧封層的殘余應力較大時，兩者的聯(lián)合作用很可能導致封層與陶瓷體脫殼，產生氣隙，從而降低電壓水平。
陶瓷電容器是一種高介電常數(shù)的陶瓷電容器〈鈦酸鋇一氧化鈦〉將其擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極。分為高頻瓷介和低頻瓷介。
高壓陶瓷電容器用于大功率、高壓領域，具有小型、高耐壓、頻率特性好等特點。隨著材料、電極和制造技術的進步，高壓陶瓷電容器的發(fā)展取得了長足的進步，并得到了廣泛的應用。高壓陶瓷電容器已成為大功率高壓電子產品不可缺少的組成部分之一。高壓陶瓷電容器的用途主要分為電力設備和脈沖能處理設備。陶瓷環(huán)氧界面存在間隙，導致陶瓷電容耐壓性差，導致二次密封模塊固化和固化后應力作用導致其耐壓水平降低。
陶瓷電容器的擊穿破壞遵循弱點擊穿理論，局部放電是弱點破壞的根源。除溫度冷熱變化引起的熱應力開裂外，環(huán)氧密封高壓陶瓷電容器的電極邊緣電場集中、陶瓷環(huán)氧界面等薄弱環(huán)節(jié)。由于環(huán)氧樹脂固化冷卻過程中體積收縮，環(huán)氧包裝陶瓷電容器產生的內應力以殘余應力的形式保留在包裝層中，作用于陶瓷環(huán)氧界面，惡化界面的粘結。鈣鈦礦鈦酸鍶鐵陶瓷在電場作用下，形成高壓陶瓷電容瓷體（SPBT）會產生電機械應力和電致應變。當環(huán)氧封層的殘余應力較大時，兩者的聯(lián)合作用很可能導致封層與陶瓷體脫殼，產生氣隙，從而降低電壓水平。
