晶粒發(fā)育充分BaTiO在三半導(dǎo)體陶瓷表面涂上適當(dāng)?shù)慕饘傺趸?，在適當(dāng)?shù)臏囟认?，在氧化條件下進(jìn)行熱處理，涂層氧化物與BaTiO3形成低共溶液相，沿開口氣孔和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷內(nèi)部，在晶界上形成薄薄的固溶體絕緣層。這種薄固溶體絕緣層的電阻率很高，雖然陶瓷晶粒仍然是半導(dǎo)體，但整個(gè)陶瓷體的顯介電常數(shù)高達(dá)2×104到8×104絕緣介質(zhì)。用這種瓷器制成的電容器稱為晶界層陶瓷電容器，簡稱BL電容器。
晶粒發(fā)育充分BaTiO在三半導(dǎo)體陶瓷表面涂上適當(dāng)?shù)慕饘傺趸?如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等)，在適當(dāng)?shù)臏囟认拢谘趸瘲l件下進(jìn)行熱處理，涂層氧化物與BaTiO3形成低共溶液相，沿開口氣孔和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷內(nèi)部，在晶界上形成薄薄的固溶體絕緣層。這種薄固溶體絕緣層的電阻率很高（可達(dá)1012～1013Ω·cm），雖然陶瓷晶粒仍然是半導(dǎo)體，但整個(gè)陶瓷體的顯介電常數(shù)高達(dá)2×104到8×104絕緣介質(zhì)。用這種瓷器制成的電容器稱為晶界層陶瓷電容器，簡稱BL電容器。
高壓陶瓷電容器的瓷材主要有鈦酸鋇基和鈦酸鍶基。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓性好的優(yōu)點(diǎn)，但也存在介質(zhì)溫度升高、絕緣電阻降低等缺點(diǎn)。鈦酸鍶晶體的內(nèi)部溫度為-250℃，立方晶鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在室溫下為順電體，無自發(fā)極化現(xiàn)象，鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化較小，tgδ而且電容變化率小，使其作為高壓電容介質(zhì)非常有利。
多層陶瓷電容器是片式元件中應(yīng)用最廣泛的一種。它將內(nèi)電極材料與陶瓷坯交替疊加，燒成一個(gè)整體，又稱片式獨(dú)石電容器，具有尺寸小、容量高、精度高的特點(diǎn)，可安裝在印刷電路板上（PCB）、混合集成電路（HIC）電子信息終端產(chǎn)品(尤其是便攜式產(chǎn)品)的體積和重量有效降低，產(chǎn)品可靠性提高。符合要求IT工業(yè)小型化、輕量化、高性能、多功能的發(fā)展方向，在2010年國家愿景目標(biāo)綱要中明確提出，電子工業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)是表面安裝部件等新部件。它不僅包裝簡單，密封良好，而且能有效地隔離異性電極。MLCC存儲(chǔ)電荷、阻斷直流、濾波、災(zāi)難、區(qū)分不同頻率、調(diào)節(jié)電路。有機(jī)薄膜電容器和電解電容器可部分取代高頻開關(guān)電源、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)電源和移動(dòng)通信設(shè)備，大大提高了高頻開關(guān)電源的濾波性能和抗干擾性能。
