高頻低阻電解電容形成于陽極內(nèi)側(cè)表面極薄的一層氧化鋁在電解電容中扮演電介質(zhì)的角色。它具有優(yōu)越的介電常數(shù) e 及單向特性（ rectifying properties ）當與電解液接觸后，這層氧化膜就具有優(yōu)良的單方向絕緣特性（ forward direction insulation property ）。電介質(zhì)這一特性決定了一般電解電容的單向極性應用。如果陰 / 陽都有此般同樣的氧化薄膜，那么其就成為無極性行電解電容。在工藝上，這一層是在一片高純度的蝕刻鋁箔上進行極化處理而得。陽極箔片進行極性化的這一過程需要施加一定的 DC 電壓進行，這一電壓被稱為“化成電壓”（ Forming Voltage” ）。這個電介質(zhì)層的厚度近乎正比于極化過程所施加的“化成電壓”，大約有 0.0013~0.0015 (mm)/ V 的關(guān)系。氧化鋁形成的化學表達式： 2Al+3H2O à Al2O3+3H2 (Gas) +3e- (Electron) 。電介質(zhì)層同時構(gòu)成了一個依電壓變化而變化的電阻，經(jīng)過此電阻的電流即所謂的漏電流。當電壓到達“化成電壓”后，漏電流急劇上升以至損壞電容器。此具有單向特性電介質(zhì)無法承受反向的電壓 ( 大于 1.5V dc) ，很小的反向電壓就會形成很大的反向電流以損壞電容器。
貼片電容正負極區(qū)分
一種是常見的鉭電容，為長方體形狀，有“-”標記的一端為正；另外還有一種銀色的表貼電容，想來應該是鋁電解。 上面為圓形，下面為方形，在光驅(qū)電路板上很常見。 這種電容則是有“-”標記的一端為負。
