片狀電阻具有三層電極結構，表面電極為銀電極，中間電極為鍍鎳層，外電極為錫涂層，表面電極材料為金屬導電，二次保護涂層為非金屬無導電性，邊界區(qū)域的電涂層非常薄或不形成導電層，造成間隙或間隙，特別是當二次保護層的邊界不規(guī)則時?；w二次保護與電極涂層之間的界面最弱，侵入過程如圖1所示。外部硫腐蝕氣體通過二次保護層與電極的交界處滲 透到表面電極，使表面電極的銀產(chǎn)生硫化化合物Ag2S、FlqT-Ag2S(高電阻)，使電阻失去導電性。
片狀電阻具有三層電極結構，表面電極為銀電極，中間電極為鍍鎳層，外電極為錫涂層，表面電極材料為金屬導電，二次保護涂層為非金屬無導電性，邊界區(qū)域的電涂層非常薄或不形成導電層，造成間隙或間隙，特別是當二次保護層的邊界不規(guī)則時?；w二次保護與電極涂層之間的界面弱。外部硫腐蝕氣體通過二次保護層與電極的交界處滲 透到表面電極，使表面電極的銀產(chǎn)生硫化化合物Ag2S、FlqT-Ag2S(高電阻)，使電阻失去導電性。
為了避免電阻硫化，好的方法是使用抗硫化電阻(或全膜工藝電阻或插接電阻)。通過擴大二次保護涂層的設計尺寸，使底電極覆蓋二次保護，使鎳層和錫層在電鍍過程中容易覆蓋二次保護層，從而使二次保護涂層相對薄弱的邊緣直接暴露在空氣環(huán)境中，從而提高了產(chǎn)品的抗硫化能力。
設計思想是從包封和覆蓋的角度出發(fā)。Rohm的抗硫化性設計，保護層采用導電樹脂膠，覆蓋表面電極，延伸到二次保護層。另一種抗硫化性設計是從材料的角度出發(fā)，如增加表面電極Ag/Pd漿料中鈀的含量，將鈀的質(zhì)量分數(shù)從0.5%提高到10%以上。由于漿料中鈀含量的增加，鈀的穩(wěn)定性提高了硫化性能。實驗結果表明，該方法是有 效的。
