電容是我們電子電路設計中最常用的元件之一，尤其是電源不能脫離電容的選擇。在電容等效模型中，理想電容的阻抗隨頻率的增加而變小，但實際電容存在ESR和ESL，其阻抗在一定頻率下會發(fā)生變化，而阻抗則隨著頻率的增加而增大。由于ESL和ESR的存在，實際電容由于電容和ESR的存在而呈現(xiàn)低頻電容和高頻靈敏度。根據(jù)美國電工協(xié)會的環(huán)境影響評估標準，將MLCC的不同介電材料的穩(wěn)定性分為三類：超穩(wěn)定COG或NPO；穩(wěn)定X7R；可用Y5V。
電容是我們電子電路設計中最常用的元件之一，尤其是電源不能脫離電容的選擇。
直流的偏壓特性是一個非常重要的參數(shù)，它意味著電容值會隨著兩端有效電壓的增加而減小。換句話說，有效電壓越高，有效容量就越低。如果在設計中不考慮偏壓特性，電容器很容易失效，或者性能不符合標準！
在電容等效模型中，理想電容的阻抗隨頻率的增加而變小，但實際電容存在ESR和ESL(等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感)，其阻抗在一定頻率下會發(fā)生變化，而阻抗則隨著頻率的增加而增大。
由于ESL和ESR的存在，實際電容由于電容和ESR的存在而呈現(xiàn)低頻電容和高頻靈敏度。在轉折點時，電容的容量與感性電抗是相等的。我們通常說小電容的高頻特性是好的，這意味著這個頻率點更好，這也是一個非常重要的參數(shù)！
交流特性，電容的有效值也會隨交流電壓的頻率而變化，但變化程度不如直流特性大。
S參數(shù)，S參數(shù)在一般電路設計中很少使用，S參數(shù)在PDN仿真中起著重要作用。需要注意的是，電容器具有串聯(lián)直流隔離和并聯(lián)旁路兩種功能，因此在仿真中不要弄錯。
X5R，X7R，Y5V，COG參數(shù)描述電容器使用的介電材料類型、溫度特性和誤差，這是一種電容穩(wěn)定性的性能。例如，5R指-55℃~+85℃，溫度變化為±15%。
根據(jù)美國電工協(xié)會的環(huán)境影響評估標準，將MLCC的不同介電材料的穩(wěn)定性分為三類：超穩(wěn)定COG或NPO；穩(wěn)定X7R；可用Y5V。
