陶瓷片式電容器高頻特性好，但最大電容只能為0.1uF。片式陶瓷電容器也屬于陶瓷電容器的，是一個(gè)總稱。陶瓷片式電容器是以陶瓷材料為電介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬膜，然后高溫?zé)Y(jié)而成的電容器。在高穩(wěn)定振蕩電路中，采用正電容溫度系數(shù)小的電容器作為回路電容器和填充電容器。此類電容器不應(yīng)用于脈沖電路中，因?yàn)樗鼈內(nèi)菀妆幻}沖電壓刺穿。
整體式電容器相對(duì)穩(wěn)定，溫度漂移系數(shù)小，電容值可達(dá)1uF，使用壽命長(zhǎng)，等效直流電阻小，價(jià)格略貴。
陶瓷片式電容器高頻特性好，但最大電容只能為0.1uF。片式陶瓷電容器也屬于陶瓷電容器的，是一個(gè)總稱。陶瓷片式電容器是以陶瓷材料為電介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬膜，然后高溫?zé)Y(jié)而成的電容器。它通常作為電路、旁路電容器和墊電容器用于高穩(wěn)定振蕩電路中。在高穩(wěn)定振蕩電路中，采用正電容溫度系數(shù)小的電容器作為回路電容器和填充電容器。低頻陶瓷電容器僅在工作頻率較低的電路中，或在穩(wěn)定性和損耗要求較低的場(chǎng)合（包括高頻）用作旁路或直流隔離。此類電容器不應(yīng)用于脈沖電路中，因?yàn)樗鼈內(nèi)菀妆幻}沖電壓刺穿。
陶瓷電容器由高介電常數(shù)電容陶瓷（鈦酸鋇和氧化鈦）制成，擠壓成圓管、圓盤(pán)或圓盤(pán)作為介質(zhì)，并通過(guò)燒結(jié)滲透法在陶瓷上鍍銀作為電極。它又分為兩種類型：高頻瓷介質(zhì)和低頻瓷介質(zhì)。在高穩(wěn)定振蕩電路中，采用正電容溫度系數(shù)小的電容器作為回路電容器和填充電容器。低頻陶瓷電容器僅在工作頻率較低的電路中，或在穩(wěn)定性和損耗要求較低的場(chǎng)合（包括高頻）用作旁路或直流隔離。此類電容器不應(yīng)用于脈沖電路中，因?yàn)樗鼈內(nèi)菀妆幻}沖電壓刺穿。
